高纯砷(Arsenic)
MBE实验用高纯源材料,MBE级别砷锭可用于芯片生长,减少生长表...
高纯镓(Gallium)
超高纯度镓(8N)是量子通讯研究的最好选择,极大地降低材料...
高纯铟(Indium)
高纯度铟用于生长III- V族化合物半导体单晶...
高纯锑(Antimony)
高纯度的锑金属用于MBE(分子束外延)工艺...
高纯铝(Aluminum)
6N5纯度作为铝源的最高纯度,是二类超晶格MBE工艺的必备元素...
高纯铍(Beryllium)
高纯度铍用于MBE(分子束外延)工艺中的掺杂源...
高纯磷(Phosphorus)
高纯度红磷用于MBE(分子束外延)工艺,是GaAs/Al/As等半导体材料...
高纯镉(Cadmium)
高纯度镉是制造红外探测器(MCT探测器-CdHgTe/CdZnTe)的必要原材...
高纯碲(Tellurium)
高纯度碲是制造红外探测器(MCT探测器-CdHgTe/CdZnTe)的必要原材...
高纯锌(Zinc)
高纯度锌是制造红外探测器(MCT探测器-CdHgTe/CdZnTe)的必要原材...
高纯铋(Bismuth)
Bi 铋 Bismuth III- V族中最后一个半导体元素。 高纯铋元素作为MB...
高纯锗(Germanium)
高纯锗产品有:经逐区提纯的多晶锗锭、颗粒状及粉末状锗。可...