高纯砷(Arsenic)

发布于2017-11-21 20:36    文章来源:未知

As  Arsenic 


Provided by PPM Pure Metals GmbH
低纯砷可用于合成通讯设备元器件中所使用的砷化镓晶片,是半导体工艺的必备原材料。

MBE级别砷锭(7N5)是半导体芯片技术的核心原材料,高纯度的砷锭可以极大的减少材料表面的生长缺陷。

半导体材料中掺砷后成为N型半导体,增加自由电子的浓度,增强导电能力。

大块砷锭有助于MBE工作者优化素源炉填料的效率,小颗粒的砷粒可以大幅降低成本。

♦高纯砷的进口需要向国家环保部申请《有毒化学品进口环境管理放行单》,我们提供一整套的咨询、申请以及后期材料进口的一整套服务。

生产厂家:德国PPM,日本Furukawa。

纯度范围:
低纯度:99,9999% (6N),广泛用于GaAs晶体生长
高纯度:99,99999% (7N),可用于MBE实验或GaAs晶体生长
MBE纯度:99,999995% (7N5) ,用于高质量MBE实验外延用源材料

形状:
颗粒:用于GaAs晶体生长,或填充素源炉内剩余空间
锭条状:用于MBE外延生长实验

规格尺寸:
常规尺寸: 直径65mm,长70/100/130mm
  直径100/110mm,长120/125mm
  直径143/150mm,长100/125mm
尺寸范围: 直径:最小15mm,最大200mm
长度: 最小50mm,最大175mm
可根据素源炉大小定制砷锭尺寸

包装及运输:
三层独立真空包装,符合IATA、DOT包装规范
符合国际危险品运输条例及规范
附VG 9000检测报告