|
Si |
GaAs |
Ge |
αSiC |
SiO2 |
Si3N4 |
密度(g/cm3) |
2.33 |
5.32 |
5.32 |
3.21 |
2.2 |
3.1 |
击穿场强(MV/cm) |
0.3 |
0.5 |
0.1 |
2.3 |
10 |
10 |
介电常数 |
11.7 |
12.9 |
16.2 |
6.52 |
3.9 |
7.5 |
禁带宽度(eV) |
1.12 |
1.42 |
0.66 |
2.86 |
9 |
5 |
电子亲和能(eV) |
4.05 |
4.07 |
4 |
|
0.9 |
|
折射率 |
3.42 |
3.3 |
3.98 |
2.55 |
1.46 |
2.05 |
熔点(℃) |
1412 |
1240 |
937 |
2830 |
~1700 |
~1900 |
比热容(J/(g•℃)) |
0.7 |
0.35 |
0.31 |
|
1 |
|
热导率(W/(cm•℃)) |
1.31 |
0.46 |
0.6 |
|
0.014 |
|
热扩散系数(cm2/s) |
0.9 |
0.44 |
0.36 |
|
0.006 |
|
热膨胀系数(*10-6) |
2.6 |
6.86 |
2.2 |
2.9 |
0.5 |
2.7 |
金属
|
Al |
Cu |
Au |
TiSi2 |
PtSi |
密度(g/cm3) |
2.7 |
8.89 |
19.3 |
4.043 |
12.394 |
电阻率(μΩ•cm) |
2.82 |
1.72 |
2.44 |
14 |
30 |
温度系统 |
0.0039 |
0.0039 |
0.0034 |
4.63 |
|
对n-si的热量(eV) |
0.55 |
0.60 |
0.75 |
0.60 |
0.85 |
热导率(W/(cm•℃)) |
2.37 |
3.98 |
3.15 |
|
|