砷化铟衬底（InAs Wafer）
发布于2021-05-28 10:25 文章来源：未知
砷化铟衬底 InAs Wafers
 Provided By Wafer Technology
♦较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，是制造霍耳器件的理想材料。
♦可匹配GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料做MBE生长。 ♦液封直拉法（CZ），保证了材料的纯度可以达到99.9999%（6N）。 ♦所有基片都经过精密抛光并充保护气氛保护，满足Epi-Ready使用要求。 ♦晶向选择：可提供其他晶向，如(110)。 ♦先进的光学测量技术，如椭偏仪等，确保每一片基片的表面干净无污染。 ♦生产厂家: UK，USA。 |
Wafer Specifications | ||||||||||
| Diameter Slices | 2" | 3" | |||||||||
| Orientation | (100) +/-0.1° | (100) +/- 0.1° | |||||||||
| Diameter (mm) | 50.5 +/- 0.5 | 76.2 +/- 0.4 | |||||||||
| Flat Option | EJ | EJ | |||||||||
| Flat Tolerance | +/- 0.1° | +/- 0.1° | |||||||||
| Major Flat Length (mm) | 16 +/- 2 | 22 +/- 2 | |||||||||
| Minor Flat Length (mm) | 8 +/- 1 | 11 +/- 1 | |||||||||
| Thickness (um) | 500 +/- 25 | 625 +/- 25 | |||||||||
| Electrical and Dopant Specifications | |||||||||||
| Dopant | Type |
Carrier
Concentration cm-3
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Mobility
cm^2•V^-1•s^-1
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| Undoped | n-type | (1-3)*10^16 | >23000 | ||||||||
| Low Sulphur | n-type | (4-8)*10^16 | 25000-15000 | ||||||||
| High Sulphur | n-type | (1-3)*10^18 | 12000-7000 | ||||||||
| Low Zinc | p-type | (1-3)*10^17 | 350-200 | ||||||||
| High Zinc | p-type | (1-3)*10^18 | 250-100 | ||||||||
| E.P.D. cm^-2 |
2" <= 15,000 3" <= 50,000 |
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| Flatness Specifications | |||||||||||
| Wafer Form | 2" | 3" | |||||||||
| Polish/Etched | TTV(um) | <12 | <15 | ||||||||
| Bow(um) | <12 | <15 | |||||||||
| Warp(um) | <12 | <15 | |||||||||
| Polish/Polish | TTV(um) | <12 | <15 | ||||||||
| Bow(um) | <12 | <15 | |||||||||
| Warp(um) | <12 | <15 | |||||||||
