锗外延衬底(Germanium Wafer)

发布于2017-11-21 20:12    文章来源:未知

锗外延衬底 Ge-Wafers



 
♦VGF生长工艺,保证了材料的纯度可以达到99.999%(5N)以上。

♦所有基片都经过精密抛光并充保护气氛保护,满足Epi-Ready使用要求。

♦晶向选择:可提供其他晶向,如(110),(111),(211)。

♦先进的光学测量技术,包括椭偏仪、粒子监测器等,保证我们生产的每一片基片的表面干净无污染。

♦生产厂家: Mateck, Germany
Wafer Specifications
 Diameter Slices 2" 3" 4"
 Orientation (100) +/-0.1° (100) +/- 0.1° (100) +/- 0.1°
 Diameter (mm) 50.5 +/- 0.5 76.2 +/- 0.5 100.0 +/- 0.3
 Flat Option EJ EJ EJ
 Flat Tolerance +/- 0.5° +/- 0.5° +/- 0.5°
 Thickness (um) 500 +/- 25 500 +/- 25 500 +/- 25
 
Electrical and Dopant Specifications
Dopant Type
Carrier
Concentration cm-3
E.P.D.
cm^-2
Mobility
cm^2•V^-1•s^-1
 N/A p-type Not Specified <= 5,000  Not Specified
 Arsenic n-type (1-5)*10^14 <= 5,000 Not Specified
 
Flatness Specifications
Wafer Form 2" 3" 4"
Polish/Etched TTV(um) <5 <5 <5
Bow(um) <10 <15 <10
Warp(um) <15 <30 <30
Polish/Polish TTV(um) <5 <5 <5
Bow(um) <10 <15 <10
Warp(um) <15 <30 <30