磷化铟衬底(InP Wafer)

发布于2017-11-21 20:13    文章来源:未知

磷化铟衬底 InP Wafers


Provided By Wafer Technology
 
直拉法(CZ)工艺,保证了材料的纯度。

所有基片都经过精密抛光并充保护气氛保护,满足Epi-Ready使用要求。

晶向选择:可提供其他晶向,如(110)。

先进的光学测量技术,包括椭偏仪、粒子监测器等,保证我们生产的每一片基片的表面干净无污染。

♦生产厂家: Wafer Technology, UK
Wafer Specifications
 Diameter Slices 2"
 Orientation (100) +/-0.1°
 Diameter (mm) 50.5 +/- 0.4
 Flat Option EJ
 Flat Tolerance +/- 0.1°
 Major Flat Length (mm) 16 +/- 2
 Minor Flat Length (mm) 8 +/- 1
 Thickness (um) 350 +/- 25
or 500 +/- 25
 
Electrical and Dopant Specifications
Dopant Type
Carrier
Concentration cm-3
Mobility
cm^2•V^-1•s^-1
E.P.D.
cm^-2
 Undoped n-type <=10^16 >=4200 <=5000
 Iron n-type Semi-Insulating >=1000 <=5000
 Tin n-type (7-40)*10^17 2500-750 <=50000
 Sulphur n-type (1-10)*10^18 2000-1000 <=1000
 Zinc p-type (1-6)*10^18 Not Specified <=1000
 Low Zinc p-type (1-6)*10^17 Not Specified <=5000
 
Flatness Specifications
Wafer Form 2"
Polish/Etched TTV(um) <12
Bow(um) <12
Warp(um) <12
Polish/Polish TTV(um) <12
Bow(um) <12
Warp(um) <12