砷化铟衬底(InAs Wafer)

发布于2017-11-21 20:18    文章来源:未知

砷化铟衬底 InAs Wafers


Provided By Wafer Technology
 
♦较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),是制造霍耳器件的理想材料。

♦可匹配GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料做MBE生长。

♦液封直拉法(CZ),保证了材料的纯度可以达到99.9999%(6N)。

♦所有基片都经过精密抛光并充保护气氛保护,满足Epi-Ready使用要求。

♦晶向选择:可提供其他晶向,如(110)。

♦先进的光学测量技术,如椭偏仪等,确保每一片基片的表面干净无污染。


♦生产厂家: Wafer Technology, UK
Wafer Specifications
 Diameter Slices 2" 3"
 Orientation (100) +/-0.1° (100) +/- 0.1°
 Diameter (mm) 50.5 +/- 0.5 76.2 +/- 0.4
 Flat Option EJ EJ
 Flat Tolerance +/- 0.1° +/- 0.1°
 Major Flat Length (mm) 16 +/- 2 22 +/- 2
 Minor Flat Length (mm) 8 +/- 1 11 +/- 1
 Thickness (um) 500 +/- 25 625 +/- 25
 
Electrical and Dopant Specifications
Dopant Type
Carrier
Concentration cm-3
Mobility
cm^2•V^-1•s^-1
 Undoped n-type (1-3)*10^16 >23000
 Low Sulphur n-type (4-8)*10^16 25000-15000
 High Sulphur n-type (1-3)*10^18 12000-7000
 Low Zinc p-type (1-3)*10^17 350-200
 High Zinc n-type (1-3)*10^18 250-100
 E.P.D. cm^-2 2" <= 15,000
3" <= 50,000 
 
Flatness Specifications
Wafer Form 2" 3"
Polish/Etched TTV(um) <12 <15
Bow(um) <12 <15
Warp(um) <12 <15
Polish/Polish TTV(um) <12 <15
Bow(um) <12 <15
Warp(um) <12 <15