锑化镓衬底（GaSb Wafer）
发布于2017-11-21 20:17 文章来源：未知
锑化镓衬底 GaSb Wafers
 Provided By Wafer Technology
♦新一代二类超晶格基片，可以制造更长波长(8 ～ 14)μm 范围的探测器。
♦小于1000的腐蚀坑密度（EPD），高质量GaSb衬底用于制作多种用途的红外探测器件、火箭和监视系统中的红外成像器件以及各种火灾、气体传感器。 ♦所有基片都经过精密抛光并充保护气氛保护，满足Epi-Ready使用要求。 ♦晶向选择：可提供其他晶向，如(110)。 ♦先进的光学测量技术，包括椭偏仪、粒子监测器等，保证我们生产的每一片基片的表面干净无污染。 ♦生产厂家: Wafer Technology, UK；Mateck Crystal, Germany；5N Plus, USA。 |
Wafer Specifications | ||||||||||
| Diameter Slices | 2" | 3" | |||||||||
| Orientation | (100) +/-0.1° | (100) +/- 0.1° | |||||||||
| Diameter (mm) | 50.5 +/- 0.5 | 76.2 +/- 0.4 | |||||||||
| Flat Option | EJ | EJ | |||||||||
| Flat Tolerance | +/- 0.1° | +/- 0.1° | |||||||||
| Major Flat Length (mm) | 16 +/- 2 | 22 +/- 2 | |||||||||
| Minor Flat Length (mm) | 8 +/- 1 | 11 +/- 1 | |||||||||
| Thickness (um) | 500 +/- 25 | 625 +/- 25 | |||||||||
| Electrical and Dopant Specifications | |||||||||||
| Dopant | Type |
Carrier
Concentration cm-3
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Mobility
cm^2•V^-1•s^-1
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| Undoped | p-type | <=2*10^17 | >500 | ||||||||
| Zinc | p-type | >=1*10^18 | 450-200 | ||||||||
| Tellurium | n-type | (1-9)*10^17 | 3500-2000 | ||||||||
| Low Tellurium | n-type | <=2*10^17 | 3500-2000 | ||||||||
| High Tellurium | n-type | >=5*10^17 | 3500-2000 | ||||||||
| E.P.D. cm^-2 |
n-type: 2", 3" <= 1,000, 4" <= 2,000 p-type: 2" <= 2,000, 3" <= 5,000 |
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| Flatness Specifications | |||||||||||
| Wafer Form | 2" | 3" | |||||||||
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Polish/Etched
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TTV(um) | <8 | <8 | ||||||||
| Bow(um) | <8 | <8 | |||||||||
| Warp(um) | <12 | <12 | |||||||||
| Polish/Polish | TTV(um) | <5 | <5 | ||||||||
| Bow(um) | <5 | <5 | |||||||||
| Warp(um) | <8 | <8 | |||||||||
