锑化镓衬底(GaSb Wafer)

发布于2017-11-21 20:17    文章来源:未知

锑化镓衬底 GaSb Wafers


Provided By Wafer Technology
 
新一代二类超晶格基片,可以制造更长波长(8 ~ 14)μm 范围的探测器。

小于1000的腐蚀坑密度(EPD),高质量GaSb衬底用于制作多种用途的红外探测器件、火箭和监视系统中的红外成像器件以及各种火灾、气体传感器。

所有基片都经过精密抛光并充保护气氛保护,满足Epi-Ready使用要求。

晶向选择:可提供其他晶向,如(110)。

先进的光学测量技术,包括椭偏仪、粒子监测器等,保证我们生产的每一片基片的表面干净无污染。

♦生产厂家: Wafer Technology, UK;Mateck Crystal, Germany;5N Plus, USA。
Wafer Specifications
 Diameter Slices 2" 3"
 Orientation (100) +/-0.1° (100) +/- 0.1°
 Diameter (mm) 50.5 +/- 0.5 76.2 +/- 0.4
 Flat Option EJ EJ
 Flat Tolerance +/- 0.1° +/- 0.1°
 Major Flat Length (mm) 16 +/- 2 22 +/- 2
 Minor Flat Length (mm) 8 +/- 1 11 +/- 1
 Thickness (um) 500 +/- 25 625 +/- 25
 
Electrical and Dopant Specifications
Dopant Type
Carrier
Concentration cm-3
Mobility
cm^2•V^-1•s^-1
 Undoped p-type <=2*10^17 >500
 Zinc p-type >=1*10^18 450-200
 Tellurium n-type (1-9)*10^17 3500-2000
 Low Tellurium n-type <=2*10^17 3500-2000
 High Tellurium n-type >=5*10^17 3500-2000
 E.P.D. cm^-2 n-type: 2", 3" <= 1,000, 4" <= 2,000
p-type: 2" <= 2,000, 3" <= 5,000
 
Flatness Specifications
Wafer Form 2" 3"
Polish/Etched
TTV(um) <8 <8
Bow(um) <8 <8
Warp(um) <12 <12
Polish/Polish TTV(um) <5 <5
Bow(um) <5 <5
Warp(um) <8 <8