砷化镓衬底(GaAs Wafer)

发布于2017-11-21 20:19    文章来源:未知

砷化镓衬底 GaAs Wafers


Provided By Wafer Technology
 
♦电子迁移率比硅高6倍,作为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。

♦用于制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。

♦VGF生长工艺,保证了材料的纯度。

♦所有基片都经过精密抛光并充保护气氛保护,满足Epi-Ready使用要求。

♦晶向选择:可提供其他晶向,如(110),(111),(311)A。

♦先进的光学测量技术,包括椭偏仪、粒子监测器等,保证我们生产的每一片基片的表面干净无污染。

♦生产厂家: Wafer Technology, UK;Mateck Crystal, Germany。
Wafer Specifications
 Diameter Slices 2" 3" 4"
 Orientation (100) +/-0.1° (100) +/- 0.1° (100) +/- 0.1°
 Diameter (mm) 50.5 +/- 0.5 76.2 +/- 0.4 100.0 +/- 0.1
 Flat Option EJ EJ EJ
 Flat Tolerance +/- 0.5° +/- 0.5° +/- 0.5°
 Major Flat Length (mm) 16 +/- 2 22 +/- 2 32 +/- 2
 Minor Flat Length (mm) 8 +/- 1 11 +/- 1 18 +/- 2
 Thickness (um) 350 +/-25
or 500 +/- 25
625 +/- 25 500 +/- 25
 
Electrical and Dopant Specifications
Dopant Type
Carrier
Concentration cm-3
E.P.D.
cm^-2
Mobility
cm^2•V^-1•s^-1
 Undoped Semi-Insulating Not Specified 2" <= 2,000
3" <= 5,000 
4" <= 10,000 
>=5000
 Zinc p-type (0.5-5)*10^19 2" <= 3,000
3" <= 5,000 
Not Specified
 Mid Silicon n-type (1-10)*10^17 2" <= 1,500
3", No Specified
>=2000
 High Silicon n-type (1-5)*10^18 2" & 3"
Grade 1 <= 100

Grade 2 <= 500 
Not Specified
 
Flatness Specifications
Wafer Form 2" 3" 4"
Polish/Etched TTV(um) <10 <10 <15
Bow(um) <10 <10 <15
Warp(um) <10 <10 <15
Polish/Polish TTV(um) <3 <5 <15
Bow(um) <3 <5 <15
Warp(um) <10 <10 <15