锑化铟衬底(InSb Wafer)

发布于2017-11-21 20:16    文章来源:未知

锑化铟衬底 InSb Wafers


Provided By Wafer Technology
 
重要半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶, 可制成具有特殊性能的红外探测器件等

Czochralski Method 法生长工艺,保证了材料的纯度。

♦所有基片都经过精密抛光并充保护气氛保护,满足Epi-Ready使用要求。

♦晶向选择:可提供其他晶向,如(110)、(111)。

♦先进的光学测量技术,包括椭偏仪、粒子监测器等,保证我们生产的每一片基片的表面干净无污染。

生产厂家: Wafer Technology, UK;Mateck, Germany;5N Plus,USA。
Wafer Specifications
 Diameter Slices 2" 3" 4"
 Orientation (100) +/-0.1° (100) +/- 0.1° (100) +/- 0.1°
 Diameter (mm) 50.5 +/- 0.5 76.2 +/- 0.4 100.0 +/- 0.5
 Flat Option 2 Flat at 120° 2 Flat at 120° 2 Flat at 120°
 Flat Tolerance +/- 0.1° +/- 0.1° +/- 0.1°
 Major Flat Length (mm) 16 +/- 2 22 +/- 2 32 +/- 2
 Minor Flat Length (mm) 8 +/- 1 11 +/- 1 18 +/- 2
 Thickness (um) 625 +/- 25 800/900 +/- 25 1000 +/- 25
 
Electrical and Dopant Specifications
Dopant Type
Carrier
Concentration cm-3
E.P.D.
cm^-2
Mobility
cm^2•V^-1•s^-1
 Undoped n-type (0.5-3)*10^14 2", 3", 4"
<=50 
>=4*10^5
 Tellurium n-type (1-7)*10^17 >=2.5*10^4
 Low Tellurium n-type (0.4-2)*10^15 >=2.5*10^5
 High Tellurium n-type >=1*10^18 Not Specified
 Germanium p-type (0.5-5)*10^15 2" <=100 8000-4000
 
Flatness Specifications
Wafer Form 2" 3" 4"
Polish/Etched TTV(um) <15 <15 <15
Bow(um) <10 <10 <15
Warp(um) <15 <15 <15
Polish/Polish TTV(um) <5 <5 <5
Bow(um) <5 <5 <5
Warp(um) <8 <8 <10